盈珑操盘存储芯片“超级周期”持续演绎：三星、SK海力士料将涨价30% 客户开启囤货模式

　　AI繁荣背景下盈珑操盘，存储芯片的这波“超级周期”，或比以往更加持久一些。

　　据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK海力士等主要内存供应商，将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。

　　整体而言，本轮涨价幅度略高于预期。早在9月下旬，三星电子便已发出第四季度提价通知，当时的计划是将部分DRAM价格上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10%。而回到当下，根据花旗集团和摩根士丹利在其半导体行业分析报告中所预测，第四季度DRAM平均售价将上涨25-26%，比上一季度上涨10%以上，涨价热潮或进一步加剧。

　　需要承认，存储芯片行业正加速迈入“超级周期”几乎已成为市场不争的共识。如存储模组大厂威刚董事长陈立白判断，第四季度仅仅是存储严重缺货的起点盈珑操盘，明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。

　　对存储芯片供应趋紧的预判则进一步加剧了市场的囤货行为。另据《朝鲜日报》报道，由于担心DRAM短缺，几家领先的国际电子和服务器公司正在囤积内存，并与三星和SK海力士洽谈签订2至3年长期供应协议，与以往按季度或年度签订合同的传统形成鲜明对照。

　　存储芯片进入“超级周期”的源头何在？归根结底，离不开AI和高性能计算需求的爆发。

　　正如美光公司首席商务官苏米特·萨达纳（Sumit Sadhana）所言盈珑操盘，DRAM价格上涨部分原因是供应紧张，而这一趋势很大程度上是由HBM需求激增推动的，因为HBM消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多。而根据摩根士丹利预测，今年包括谷歌、亚马逊、Meta、微软在内的科技巨头，将在人工智能基础设施上投入4000亿美元。

　　也因此，国内外存储厂商纷纷将优先布局HBM相关的先进封测领域作为其经营策略。10月20日消息，三星正在加紧推进HBM4的研发，计划于10月27日至31日进行发布，并于今年晚些时候量产。上市公司方面，佰维存储于10月21日在互动平台表示，公司的晶圆级先进封测制项目正处于投产准备过程中，公司正加紧惠州封测制造中心的产能扩建。

　　从价格趋势来看，TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb，盈利能力可观。另有机构预计明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元，比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上。

　　不过，随着人工智能投资从大容量数据训练转向推理， DRAM需求增长也有望跑出加速度。根据韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。

　　展望未来，上海证券研报表示，AI需求旺盛推动存储需求的增长，同时由于海外原厂产能限制，2025年第四季度存储涨价趋势预计持续，看好本轮存储大周期。也有保守声音如华邦电董事长焦佑钧指出，当前DRAM供需不平衡，有可能实际需求并无这么多，不过如今仍处在供不应求的状况，致使缺口产生，供给不足下导致价格狂飙。